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功率场效应管 混合型N+P-MOSFET


 

规格型号 产品图片 沟道类型 漏源电压 Max 栅源电压 Max 阀值电压 Typ 漏极电流 Max 导通电阻 10V 导通电阻 4.5V 导通电阻 2.5V 导通电阻 1.8V 封装形式   规格书  
QNSMCM2001 N+P 20/-20 ±12 0.8/-0.7 4/-2 - 25/74 33/95 - SOT23-6L
QNNP03T26B N+P 30/-30 ±20 1.45/-1.65 5.6/-4.1 21/42 28/58 - - SOT23-6L
QNNP03T26 N+P 30/-30 ±20 1.5/-1.5 5.8/-4.4 20/39 26/52 - - SOT23-6L
QNCM4606 N+P 30/-30 ±20 1.5/-1.65 5.6/-4.1 20/38 26/55 - - SOP8

 

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